[发明专利]半导体硅片的电阻率测试方法及测试结构在审
| 申请号： | 201210414675.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102928669A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片的电阻率测试方法及测试结构，包括以下步骤：首先，在半导体硅片（10）的每一个裸芯片（20）上制作出电阻率测试结构（30）；其次，将电阻绘制仪器的电压直接加载到所述电阻率测试结构（30）上；然后，采用时域电荷测量方法测量半导体硅片（10）的电阻率。所述电阻率测试结构，包括硅层（31），在所述硅层（31）下面设置有氧化层（32），在所述硅层（31）上面设置有介质层（33），在所述介质层（33）上面设置有金属层（34）。本发明半导体硅片的电阻率测试结构，用于测量裸芯片的电阻率；本发明半导体硅片的电阻率测试方法，能够直接测量半导体硅片中裸芯片的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 电阻率 测试 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片的电阻率测试方法，包括以下步骤：首先，在半导体硅片（10）的每一个裸芯片（20）上制作出电阻率测试结构（30）；其次，将电阻绘制仪器的电压直接加载到所述电阻率测试结构（30）上；然后，采用时域电荷测量方法测量半导体硅片（10）的电阻率。
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