[发明专利]高介电层金属栅器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210415303.0 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779280B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电层金属栅器件的制造方法，在去除伪多晶硅及介电层后执行氟离子注入，并在形成衬垫氧化物后进行第一次退火，在形成高介电层后执行第二次退火，使氟离子由衬底的沟道区扩散至衬垫氧化层和高介电层，与不稳定的氢键结合形成氟硅基团，降低了氟离子由伪多晶硅扩散入高介电层过程中工艺的不可控性和工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电层 金属 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电层金属栅器件的制造方法，包括：在衬底上形成包括介电层、伪多晶硅和侧壁氧化层的栅极结构；在衬底上沉积形成夹层绝缘层，并进行化学机械研磨以露出所述伪多晶硅；刻蚀去除伪多晶硅和介电层，以形成底部暴露与伪多晶硅对应的衬底的凹槽；执行氟离子注入以对暴露的衬底进行掺杂；在所述凹槽底部形成衬垫氧化层并执行第一次退火；在所述衬垫氧化层上沉积形成高介电层并执行第二次退火；在所述高介电层上形成金属栅极；其中，所述衬底为硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
