[发明专利]一种混合结构场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开一种混合结构场效应晶体管及其制作方法。该器件利用SiC的承受耐压，利用在SiC外延层上外延生长的异质结构层控制器件开关。本发明避免了传统HFET电流崩塌效应；且该器件能够制作比AlGaN/GaNHFET耐压更高的器件；该器件能够很容易调节阈值电压，实现常关型器件与常关型器件。同时相比SiCMOS沟道，异质结构层界面处二维电子气沟道中，电子迁移率高，沟道电阻小。因此，该器件有效结合了AlGaN/GaNHFET与SiCMOSFET的优点，实现了高性能功率半导体开关器件。

主权项

一种混合结构场效应晶体管，包括SiC衬底（1）及由下往上依次设于SiC衬底（1）上的SiC外延层（2）和异质结构层，其特征在于所述SiC外延层（2）表面上通过注入离子形成位于两侧的第一区域（3）和位于中部的第二区域（4），异质结构层由下往上依次包括缓冲层（5）、GaN层（6）及AlGaN层（7），异质结构层在位于第一区域（3）和第二区域（4）上方的位置均开设有沟道，在位于第一区域（3）上的沟道处覆盖第一金属层（8），在位于第二区域（4）上的沟道处覆盖第二金属层（9），在AlGaN层（7）、第一金属层（8）和第二金属层（9）表面上形成介质层（10），在位于AlGaN层（7）上方的介质层（10）上形成有栅极（11），在SiC衬底（1）的背部形成漏极（12）。