[发明专利]与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器有效
| 申请号： | 201210417397.5 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102938444A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 孙蕾;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，属于红外探测器的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，包括承载衬底；所述承载衬底上设有隔离支撑层，所述隔离支撑层上方对应隔离槽的两侧设置对称分布的热电堆，所述热电堆通过隔离槽相隔离，且所述隔离槽两侧的热电堆电连接成一体；所述热电堆上覆盖有第四介质层，第四介质层上设有红外吸收层，红外吸收层通过热传导支撑柱支撑在第四介质层上，红外吸收层通过热传导支撑柱与热电堆间形成绝热腔，所述绝热腔与隔离槽相连通。本发明结构简单紧凑，体积小，占空因子高，制造工艺简单，适应性好。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 工艺 兼容 热电 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，包括承载衬底（3）；其特征是：所述承载衬底（3）上设有隔离支撑层（27），所述隔离支撑层（27）上方对应隔离槽（17）的两侧设置对称分布的热电堆，所述热电堆通过隔离槽（17）相隔离，且所述隔离槽（17）两侧的热电堆电连接成一体；所述热电堆上覆盖有第四介质层（18），第四介质层（18）上设有红外吸收层（1），红外吸收层（1）通过热传导支撑柱（20）支撑在第四介质层（18）上，红外吸收层（1）通过热传导支撑柱（20）与热电堆间形成绝热腔（8），所述绝热腔（8）与隔离槽（17）相连通。
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