[发明专利]一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池在审
申请号: | 201210417678.0 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN102931275A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 黎兵;冯良桓;曾广根;蔡亚平;张静全;李卫;武莉莉;王文武 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展,基于多带隙半导体太阳电池模型,半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率,设计出对应于第三代太阳电池概念的单带差超晶格薄膜结构,该结构的关键之处,是采用两个单层薄膜夹住超晶格纳米薄膜,形成三明治结构;并首次提出了使用脉冲激光沉积技术来制备这种新型薄膜太阳电池的技术方法。这种单带差超晶格薄膜太阳电池的设计和制备为开发新型高效率的太阳电池提供了一个方向。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 晶格 结构 新型 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
单带差超晶格薄膜太阳电池的提出及其研制,其特征是利用气体脉冲激光沉积等超晶格结构制备技术,制备新型的薄膜太阳电池,包括:单带差超晶格的结构;单带差超晶格的材料;单带差超晶格薄膜太阳电池的研制环节。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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