[发明专利]一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210417753.3 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102886934A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王春青;李彬;窦广彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B18/00;B32B33/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法，本发明涉及一种多铁性薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的BiFeO3(BFO)基薄膜漏电流较大、铁磁性能较差、与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金，从而导致其综合性能下降及现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜的问题。本发明的一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶制备而成。制备方法：一、制备缓冲层薄膜：二、沉积BFO基薄膜，然后采用快速退火工艺获得结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。本发明主要用于制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 完全 无杂相 产生 多铁性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜，其特征在于结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶在经过清洗的Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上通过旋涂法、热分解法及快速退火工艺法制备而成。
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