[发明专利]一种避免寄生电容结构的微加速度传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210418322.9 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN102928623A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 车录锋;李伟;苏荣涛;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨;孙健
地址: 200050 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器,包括上电极盖板、下电极盖板和质量块,所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端,所述质量块的上表面具有上电容间隙,下表面具有下电容间隙;所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面均设有用于实现上电极焊盘、中间电极焊盘和下电极焊盘之间绝缘的隔离槽。本发明易于制作,工作性能稳定,用途广泛。
搜索关键词: 一种 避免 寄生 电容 结构 加速度 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
一种避免寄生电容结构的微加速度传感器,包括上电极盖板(17)、下电极盖板(19)和质量块(1),其特征在于,所述上电极盖板(17)和下电极盖板(19)分别位于质量块(1)的上端和下端,所述质量块(1)的上表面具有上电容间隙(7),下表面具有下电容间隙(8);所述上电极盖板(17)的下表面和下电极盖板(19)的上表面均设有用于实现上电极焊盘(14)、中间电极焊盘(15)和下电极焊盘(16)之间绝缘的隔离槽(9、10)。
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