[发明专利]一种掩膜板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201210418464.5 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN102944974A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 王凤国 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F7/00;G03F7/30;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种掩膜板及阵列基板的制造方法,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量,降低显影液的浓度,以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性,提高了产品的良品率。本发明的掩膜板,包括基板,设置于基板上的第一图案区及第二图案区,第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区,第二图案区包括部分透射区域和全透射区域,当刻蚀扇出导线区的源漏极层时,部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域,全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域,光刻胶部分保留区域对应于扇出导线,光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,包括基板,设置于基板上的第一图案区及第二图案区,第一图案区对应于阵列基板的像素区,第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区,其特征在于,所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域,当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时,所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域,所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域,其中,所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线,所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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