[发明专利]标准晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210419099.X | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794596A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡博修;祖延雷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01B7/00;G01B7/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邹姗姗 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了标准晶片及其制造方法。本公开的实施例提供一种标准晶片，其包括：衬底；形成于衬底上的第一半导体材料层；形成于第一半导体材料层之上的栅条，其中，间隔层介于第一半导体材料层和所述栅条之间；以及分别形成在所述栅条的相对两侧的第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，其中，所述栅条和第一半导体材料层由相同的半导体材料形成，介于第一半导体材料层和所述栅条之间的所述间隔层与第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件由相同的氧化物形成。本公开实施例还提供相应的标准晶片制造方法。通过本公开的实施例，可以提供具有不容易带电、不容易受污染，成像对比度高、价格较低、制作工艺简单中的至少一个或多个优点的标准晶片以及相应的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种标准晶片，包括：衬底；形成于衬底上的第一半导体材料层；形成于第一半导体材料层之上的栅条，其中，间隔层介于第一半导体材料层和所述栅条之间，以及分别形成在所述栅条的相对两侧的第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，其中，所述栅条和第一半导体材料层由相同的半导体材料形成，介于第一半导体材料层和所述栅条之间的所述间隔层与第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件由相同的氧化物形成。
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