[发明专利]基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法有效
| 申请号： | 201210419190.1 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102901940A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 狄国庆 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G11B5/127 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法，所述传感器元件包括若干位于磁场中的角形结构的温差电元件，所述温差电元件由具有温差电效应的磁性材料制成，温差电元件包括第一边、第二边以及两边相接形成的角部，所述角部处设有加热装置，所述第一边和第二边的另一端所在区域温度小于或等于周围环境温度。本发明的传感器元件结构及其制造工艺简单、性能稳定，能够加工成各种形式和大小的尺寸，可用于开发不同种类的磁场传感器，特别是可能用于开发超高密度磁性信息存储的新一代读出磁头，在包括信息存储在内的众多领域获得广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 温差 效应 传感器 元件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种基于磁温差电效应的传感器元件，其特征在于，所述传感器元件包括若干位于磁场中的角形结构的温差电元件，所述温差电元件由具有温差电效应的磁性材料制成，温差电元件包括第一边、第二边以及两边相接形成的角部，所述角部处设有加热装置，所述第一边和第二边的另一端所在区域温度小于或等于周围环境温度。
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