[发明专利]在半导体硅衬底上附生作为源漏极基底材料的锗硅的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体硅衬底上附生作为源漏极基底材料的锗硅的方法，本发明采用的方法在形成半导体硅衬底中作为源漏极的“∑”形凹进结构之后，在预清洗之前，在作为源漏极的“∑”形凹进结构表面高温生长一层氧化垫，再进行预清洗去除该氧化垫，在此过程中，作为源漏极的“∑”形凹进结构表面的硅出现结晶，填充了采用干法刻蚀所形成的“弓”形凹进结构203表面的凹坑，使得作为源漏极的“∑”形凹进结构平滑，在该平滑的作为源漏极的“∑”形凹进结构进行锗硅附生，不会出现堆叠缺陷，提高了附生锗硅的质量。

主权项

一种在半导体硅衬底上附生作为源漏极基底材料的锗硅的方法，该方法包括： 在半导体硅衬底上制作完极及栅极侧墙，采用干法刻蚀栅极及栅极侧墙2两边，在栅极及栅极侧墙两边的半导体硅衬底中形成“弓”形凹进结构； 使用氢氧化四甲基铵TMAH湿法刻蚀，使“弓”形凹进结构变为“∑”形凹进结构； 在“∑”形凹进结构表面高温生长氧化垫后，预清洗； 在“∑”形凹进结构中附生锗硅，形成源漏极锗硅基底。