[发明专利]一种低介电常数层的制作方法有效
| 申请号： | 201210419650.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794491B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数层的制作方法，本发明所制作的低介电常数层包括两层，下层为采用OMCTS和氧气形成的第一低介电常数层，上层为采用OMCTS和氩气（Ar）形成的第二低介电常数层，由于第二低介电常数层比较硬且具有低介电常数，所以后续抛光过程中作为上层，不易被快速去除，有利于控制抛光速率，保证后续抛光后该电介质层的寄生电阻一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数层的制作方法，其特征在于，该方法包括：在金属层之上或半导体器件的硅沉积上沉积初始介质层，该初始介质层采用二氧化硅作为沉积材料；在初始介质层上沉积第一低介电常数层，该第一低介电常数层采用八甲基四硅烷OMCTS和氧气的混合气体沉积得到；在该第一低介电常数层上采用OMCTS和氩气形成第二低介电常数层，该第二低介电常数层作为后续抛光过程的上层，保证抛光后的该第一低介电常数层的寄生电阻一致性，采用所述氩气对该第二低介电常数层进行物理轰击；所述采用OMCTS和氩气的混合气体沉积该第二低介电常数层重复设定次数执行；所述在初始介质层上沉积该第一低介电常数层之前，该方法还包括：采用OMCTS和氩气形成第三低介电常数层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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