[发明专利]具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法无效
| 申请号： | 201210420046.X | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903626A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李化阳;张良;任海兵 | 申请（专利权）人： | 镇江大全太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 212211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造，具体是一种具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法。该方法是在氮化硅镀膜设备上对硅片进行氮化硅镀膜时，在硅片进入反应腔体后，未进行氮化硅沉积步骤前，先向反应腔体充入清洗气体NH3、N2、Ar，打开氮化硅镀膜设备原有的射频电源，在能够产生等离子体的反应温度下，等离子体中的活性自由基和带电粒子对硅片表面进行化学和物理的作用，清洗硅片表面污染残留物；然后，进行常规的氮化硅沉积。本发明能够在氮化硅镀膜过程中消除硅片表面滚轮印污染，操作简单、方便。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅片 表面 清洗 功能 氮化 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法，其特征是：在氮化硅镀膜设备上对硅片进行氮化硅镀膜时，在硅片进入反应腔体后，未进行氮化硅沉积步骤前，先向反应腔体充入清洗气体NH3、N2、Ar，打开氮化硅镀膜设备原有的射频电源，在能够产生等离子体的反应温度下，等离子体中的活性自由基和带电粒子对硅片表面进行化学和物理的作用，清洗硅片表面污染残留物；然后，进行常规的氮化硅沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
