[发明专利]一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 201210421655.7 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102938330A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 丁旵明;梁培培;徐传粉 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;C01G23/053 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜及制备方法，其薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成，并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层，该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应；其该薄膜具体结构为：TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III，以此类推。本发明的薄膜对太阳光不同波段范围均有响应，从而增强光敏化层的稳定性、提高光电转化效率，使敏化太阳能电池的使用寿命得到延长，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 宽谱带 吸收 无机 半导体 tio sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜，其特征在于：该薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成，并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层，该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应；其该薄膜具体结构为：TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III，以此类推；其中窄能带隙无机半导体I的能带隙小于TiO2且导带能量高于TiO2，窄能带隙无机半导体II的能带隙小于窄能带隙无机半导体I且导带能量高于窄能带隙无机半导体I，窄能带隙无机半导体III的能带隙小于窄能带隙无机半导体II且导带能量高于窄能带隙无机半导体II，以此类推。
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