[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210422156.X | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794558A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊;焦明洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成用于容置锗硅层的凹槽的步骤，所述凹槽包括Sigma型凹槽以及位于所述Sigma型凹槽底部且凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶。本发明的半导体器件，包括半导体衬底和位于其上的PMOS，该PMOS的栅极结构两侧的半导体衬底上形成有Sigma型凹槽，所述Sigma型凹槽底部具有凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶，所述Sigma型凹槽和所述凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶内形成有锗硅层。该制造方法通过将凹槽形状改变为底部具有台阶的Sigma型，克服了锗硅堆叠不理想的问题，提高了器件性能。本发明的半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括在半导体衬底上形成用于容置锗硅层的凹槽的步骤，所述凹槽包括Sigma型凹槽以及位于所述Sigma型凹槽底部且凹陷入所述半导体衬底的至少一个台阶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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