[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210422429.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794547A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，在提供的半导体衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成低k介质层；在所述低k介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成金属玻璃硬掩膜层；在所述金属玻璃硬掩膜层上形成底部抗反射涂层和图案化的光刻胶；所述硬掩膜层和所述金属玻璃硬掩膜层构成金属硬掩膜层。通过金属硬掩膜对低k介质层的刻蚀，降低了对低k介质层的损伤，金属硬掩膜层较低的条宽粗糙度和较低的纵横比，有助于集成电路制造后端制程中的填充工艺，增强了器件的稳定性、可靠性，进一步提高了集成电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成低k介质层；在所述低k介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成金属玻璃硬掩膜层；在所述金属玻璃硬掩膜层上形成底部抗反射涂层和图案化的光刻胶；所述硬掩膜层和所述金属玻璃硬掩膜层构成金属硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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