[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管

摘要

本发明涉及低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法及利用该方法制备的低温多晶硅薄膜晶体管，在基板上生成缓冲层，图案化多晶硅层，对多晶硅层进行一定量的离子注入或者不注入以形成薄膜晶体管的沟道区；沉积栅极绝缘层，第一离子注入阻挡层，隔着栅极绝缘层对多晶硅层进行离子注入，形成源极和漏极；而后在沟道区两侧生成掺杂量不等的轻掺杂漏极区，其中靠近源极的源极轻掺杂区的掺杂量高于靠近漏极的漏极轻掺杂区的掺杂量。上述方案中离子注入形成源极和漏极的过程中隔着栅极绝缘层，可以缓冲离子注入过程，有效避免了现有技术中直接对多晶硅材料进行离子注入对多晶硅材料晶格的破坏的问题，提高了所制备的低温多晶硅薄膜晶体管的产品性能。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在基板（1）依次生成缓冲层（8）和图形化多晶硅层（15）；S2、在所述图形化多晶硅层（15）上生成栅极绝缘层（11）；S3、在所述栅极绝缘层（11）上生成第一离子注入阻挡层（16）且预留用于形成源极和漏极的区域；S4、经所述栅极绝缘层（11）对所述图形化多晶硅层（15）进行离子注入，形成源极（1504）和漏极（1505），所述图形化多晶硅层（15）中间被所述第一离子注入阻挡层（16）遮挡的无离子注入的区域为沟道区（1502）与所述沟道区（1502）两侧的用于生成轻掺杂漏极区的区域；S5、在所述栅极绝缘层（11）上形成栅极（3）；S6、在所述沟道区（2）两侧生成掺杂量不等的轻掺杂漏极区，其中靠近所述源极（1504）的源极轻掺杂区（1512）的掺杂量高于靠近所述漏极（1505）的漏极轻掺杂区（1513）的掺杂量。