[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应管包括绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅层、底层硅层和位于顶层硅层和底层硅层之间的掩埋层，顶层硅层作为鳍式场效应管的鳍部；位于顶层硅层中暴露掩埋层表面的第二开口；位于第二开口的侧壁的第一隔离层；位于掩埋层中暴露底层硅层表面的第三开口，第三开口的位置与第二开口的位置相对应；填充满第二开口和第三开口的外延硅层，外延硅层的顶部表面高于顶层硅层的表面，外延硅层和底层硅层构成背栅；位于外延硅层的顶部表面的第二隔离层；位于第二隔离层和部分外延硅层的侧壁以及顶层硅层的表面的侧墙。在背栅上施加电压时，容易控制鳍式场效应管的阈值电压。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅层、底层硅层和位于顶层硅层和底层硅层之间的掩埋层；在所述顶层硅层表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露顶层硅层表面的第一开口；沿第一开口，刻蚀所述顶层硅层，形成暴露所述掩埋层表面的第二开口；在所述第二开口的侧壁形成第一隔离层；沿第二开口刻蚀所述掩埋层，形成暴露底层硅层表面的第三开口；在第一开口、第二开口和第三开口内填充满外延硅层，外延硅层和底层硅层构成背栅；在所述外延硅层的顶部表面形成第二隔离层；去除所述硬掩膜层，暴露所述第二隔离层和部分外延硅层的侧壁；在所述第二隔离层和暴露的部分外延硅层的侧壁以及顶层硅层的表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述顶层硅层，形成环绕所述外延硅层的鳍部。