[发明专利]半导体衬底的表面处理方法有效
| 申请号： | 201210422897.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102909639A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。
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