[发明专利]金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201210422991.3 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794482A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面依次形成界面材料层、高K介质层和多晶硅层；对多晶硅层表面进行第一氮化处理，在多晶硅层表面形成氮硅化合物；第一氮化处理后，在多晶硅层上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有暴露多晶硅层表面的氮硅化合物的开口；沿开口刻蚀所述多晶硅层、高K介质层和界面材料层，形成界面层、高K栅介质层和伪栅；在半导体衬底表面形成层间介质层，层间介质层的表面与伪栅顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中填充满金属，形成金属栅极。氮硅化合物能阻止氧元素穿过多晶硅层与半导体衬底表面的硅反应形成氧化硅，使界面材料层的厚度保持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面依次形成界面材料层、高K介质层和多晶硅层；对所述多晶硅层表面进行第一氮化处理，在多晶硅层表面形成氮硅化合物；第一氮化处理后，在多晶硅层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露多晶硅层表面的氮硅化合物的开口；沿开口刻蚀所述多晶硅层、高K介质层和界面材料层，形成位于半导体衬底表面的界面层、位于界面层上的高K栅介质层和位于高K介质层上的伪栅；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，层间介质层的表面与伪栅顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽中填充满金属，形成金属栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210422991.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOS晶体管的制作方法
- 下一篇：高k金属栅极结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
