[发明专利]太阳能液晶面板及其制作方法有效
| 申请号： | 201210423920.5 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102902123A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 洪孟逸 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能液晶面板及其制作方法，包括太阳能电池和TFT结构，所述TFT结构包括：栅极、绝缘层、第一i型非晶硅层、源极n型非晶硅层和漏极n型非晶硅层、源极、以及漏极；所述太阳能包括位于第二ITO透明电极、第二p型a-Si层、第二i型非晶硅层、以及太阳能n型非晶硅层，其中，第二i型非晶硅层与第一i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上。本发明太阳能液晶显示面板整合现有液晶显示器与薄膜太阳能的制程与材料，可以在基板上制作同时具有太阳能与液晶显示器的元件，具有产生能源与控制显示之用，可以应用在诸如窗玻璃等建筑材料之上。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 液晶面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能液晶面板，包括太阳能电池和TFT结构，其特征在于：所述TFT结构包括：位于底部的栅极、位于栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的第一i型非晶硅层、位于第一i型非晶硅层上的源极n型非晶硅层和漏极n型非晶硅层、源极、以及漏极；所述太阳能包括位于底层的第二ITO透明电极、第二p型a‑Si层、第二i型非晶硅层、以及太阳能n型非晶硅层，其中，第二i型非晶硅层与第一i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上，且所述源极一端位于源极n型非晶硅层上，源极的另一端位于第二i型非晶硅层上，所述漏极一端位于漏极n型非晶硅层上，漏极的另一端位于第二i型非晶硅层上。
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