[发明专利]高导电性有机透明导电薄膜的制备方法在审
申请号: | 201210424415.2 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103794728A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 刘星元;郭晓阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种高导电性的有机透明导电薄膜的制备方法。采用有机小分子或聚合物半导体材料作为介质层,制备介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜,不仅可以实现可见光区高透过率,并且可以实现小于10 Ω/□的超低面电阻。采用有机半导体材料作为介质层,不仅可以大大拓展介质/金属/介质多层结构中介质材料的选择,而且可以实现大量不同性质的n型及p型有机透明导电薄膜。该类透明导电薄膜具有在薄膜太阳能电池及有机发光二极管等光电子器件领域应用的潜质,并且基于有机半导体材料的透明导电薄膜更有利于实现高性能的柔性透明导电薄膜。 | ||
搜索关键词: | 导电性 有机 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高导电性有机透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤i、在刚性或柔性平面基板上制备第一介质层;步骤ii、在所述的第一介质层上制备金属层;步骤iii、在所述的金属层上制备第二介质层;所述第一介质层和所述第二介质层的材料分别为:任意一种有机半导体材料,或任意多种有机半导体材料的混合物。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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