[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：外延硅层，所述外延硅层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于所述外延硅层的第一表面上的栅极结构，所述栅极结构包括位于外延硅层的第一表面上的栅介质层和位于栅介质层表面的栅电极；位于外延硅层的第二表面上伪栅，所述伪栅的位置与栅极结构的位置相对应；位于伪栅的侧壁和顶部表面、以及外延硅层的第二表面上的第一应力材料层；覆盖所述第一应力材料层的氧化层；与氧化层表面粘合的第二基底。通过位于栅极结构底部的伪栅和位于伪栅表面的第一应力材料层，对晶体管的沟道区施加应力，提高了沟道区应力的大小。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底和第二基底；在所述第一基底表面形成外延硅层，所述外延硅层与第一基底接触的面为第一表面，远离第一基底的面为第二表面；在所述外延硅层的第二表面上形成伪栅；在所述伪栅的侧壁和顶部表面以及外延硅层的第二表面形成第一应力材料层；在所述第一应力材料层表面形成氧化硅层，平坦化所述氧化硅层；将所述氧化硅层的表面与第二基底的表面粘和；去除所述第一基底，暴露外延硅层的第一表面；在所述外延硅层的第一表面形成栅极结构，栅极结构的位置与伪栅的位置相对应，所述栅极结构包括位于外延硅层的第一表面的栅介质层和位于栅介质层表面的栅电极。