[发明专利]一种逆导IGBT结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201210424866.6 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945856A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 尹建维 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/082;H01L21/331;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 225116 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种逆导IGBT结构及其制备方法，包括半导体衬底、衬底正面结构和衬底背面结构，衬底正面结构与现有逆导IGBT结构相同；衬底背面结构包括第三p型区、第四p型区、铝金属层、钒金层、镍金属层和银金属层，所述第三p型区和第四p型区位于半导体衬底的底部，且被半导体衬底部分隔离开，半导体衬底底部依次淀积有铝金属层，钒金属层、镍金属层和银金属层；该逆导IGBT结构的衬底正面结构加工方法与制备常规逆导IGBT结构的相同，其背面加工只有一次离子注入，用钒金属代替原有的钛金属。该逆导IGBT结构导通特性好，“snapback”效应小，总面积小、封装可靠性高，封装成本低；其制备方法简单，加工成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导IGBT结构，其特征在于，包括半导体衬底、衬底正面结构和衬底背面结构，所述衬底正面结构位于半导体衬底的正面，衬底背面结构位于半导体衬底的背面；所述衬底正面结构包括第一p型区、第二p型区、第一n+区和第二n+区，所述第一p型区和第二p型区位于半导体衬底的顶面，且被半导体衬底部分隔离开，所述第一n+区位于第一p型区内，第二n+区位于第二p型区内；所述衬底背面结构包括第三p型区、第四p型区、铝金属层、钒金层、镍金属层和银金属层，所述第三p型区和第四p型区位于半导体衬底的底部，且被半导体衬底部分隔离开，所述半导体衬底底部依次淀积有铝金属层，钒金属层、镍金属层和银金属层。
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