[发明专利]功率MOS晶体管阵列

摘要

本发明公开了一种功率MOS晶体管阵列，由多个元胞结构构成，所述元胞结构包括前道有源器件和后道金属连接层，其中后道金属连接层包括孔,下层金属，金属间通孔及顶层金属，孔连接有源器件的源极、漏极、多晶硅栅极和下层金属，金属间通孔连接下层金属与顶层金属；所述孔是沟槽式长条型孔。本发明通过优化后道金属布线设计和顶层金属制造工艺减小了金属布线带来的寄生电阻，从而减小整个晶体管阵列导通电阻，使功率MOS管阵列能获得大的驱动电流，提高驱动能力。

主权项

一种功率MOS晶体管阵列，由多个元胞结构构成，所述元胞结构包括前道有源器件（1）和后道金属连接层（2），其中后道金属连接层包括孔（3）,下层金属（4），金属间通孔（5）及顶层金属（6），孔（3）连接有源器件（1）的源极（S）、漏极（D）、多晶硅栅极（S）和下层金属（4），金属间通孔（5）连接下层金属（4）与顶层金属（6）；其特征是：所述孔（3）是沟槽式长条型孔。