[发明专利]用于中介片的电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210425190.2 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456601B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张俊华;叶德强;郑光伟;刘源鸿;侯上勇;邱文智;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中介 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底的表面延伸到所述衬底中的通孔；形成位于所述衬底的表面上方的第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成第一金属层，所述第一金属层与所述通孔电连接；形成位于所述第一金属层上方的电容器，其中，所述电容器包括位于所述第一金属层上方的第一电容器介电层和位于所述第一电容器介电层上方的第二电容器介电层；以及在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述电容器；在所述第二绝缘层上方形成蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层上方形成第三绝缘层，并且在所述第三绝缘层内形成与所述电容器连接的第二金属层，其中，所述第二金属层部分地在介于所述蚀刻终止层的底面和第一金属层之间的所述第二绝缘层内，并且所述第二金属层部分地在所述第三绝缘层内；其中，所述电容器通过形成在所述第二绝缘层中的第一通孔插塞与所述第二金属层电连接；以及所述第一金属层通过形成在所述第二绝缘层中的第二通孔插塞与所述第二金属层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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