[发明专利]包含硅涂布气体供给管道的系统与施加涂层的方法

摘要

在一种实施方式中，等离子体蚀刻系统可以包括工艺气体源、等离子体处理室和气体供给管道。等离子体可以由在等离子体处理室的工艺配方气体形成。气体供给管道可包括形成内部配方接触表面和外部环境接触表面的耐腐蚀的层状结构。耐腐蚀的层状结构可以包括硅保护层、钝化的耦合连接层和不锈钢层。内部配方接触表面可以由硅保护层形成。可以设置钝化的耦合连接层在硅保护层和不锈钢层之间。钝化的耦合连接层可以包括铬的氧化物和铁的氧化物。在钝化的耦合连接层中铬的氧化物比铁的氧化物可更多。

主权项

一种包含工艺气体源、等离子体处理室和气体供给管道的等离子体蚀刻系统，其中：所述工艺气体源与所述气体供给管道流体连通；所述气体供给管道与所述等离子体处理室流体连通；工艺配方气体通过所述气体供给管道输送，使得所述工艺配方气体从所述工艺气体源输送到所述等离子体处理室；用于蚀刻器件的等离子体在所述等离子体处理室中由所述工艺配方气体形成；所述气体供给管道包括形成内部配方接触表面和外部环境接触表面的耐腐蚀的层状结构；所述耐腐蚀的层状结构包括硅保护层、钝化的耦合连接层和不锈钢层；所述内部配方接触表面由所述硅保护层形成；所述钝化的耦合连接层被布置在所述硅保护层和所述不锈钢层之间；以及所述钝化的耦合连接层包括铬的氧化物和铁的氧化物，以使在所述钝化的耦合连接层中所述铬的氧化物比所述铁的氧化物更多。