[发明专利]自对准三重图形的形成方法有效
申请号: | 201210425609.4 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103794476B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 隋运奇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/308 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种自对准三重图形的形成方法,包括提供待刻蚀层,待刻蚀层表面具有分立的第一牺牲层;在待刻蚀层表面以及第一牺牲层的侧壁和顶部形成第二牺牲薄膜、以及第二牺牲薄膜表面的第一侧墙层;平坦化第二牺牲薄膜和第一侧墙层,直至暴露出第一牺牲层的顶部表面,第一侧墙层形成第一侧墙,第二牺牲薄膜形成第二牺牲层,第二牺牲层和第一侧墙的顶部表面与第一牺牲层的顶部表面齐平;在平坦化工艺之后,去除第一牺牲层;去除第一牺牲层之后,在第二牺牲层和第一侧墙两侧的待刻蚀层表面形成第二侧墙;以第一侧墙和第二侧墙为掩膜,干法刻蚀第二牺牲层,直至暴露出待刻蚀层表面为止。所形成的自对准三重图形的尺寸较小,且形成工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 对准 三重 图形 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种自对准三重图形的形成方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀层,所述待刻蚀层表面具有分立的第一牺牲层;在所述待刻蚀层表面、以及第一牺牲层的侧壁和顶部表面形成第二牺牲薄膜、以及所述第二牺牲薄膜表面的第一侧墙层;平坦化所述第二牺牲薄膜和第一侧墙层,直至暴露出第一牺牲层的顶部表面,所述第一侧墙层形成第一侧墙,所述第二牺牲薄膜形成第二牺牲层,所述第二牺牲层和第一侧墙的顶部表面与所述第一牺牲层的顶部表面齐平,所述第一侧墙位于相邻第一牺牲层之间,且所述第一侧墙与所述待刻蚀层之间具有第二牺牲层;在所述平坦化工艺之后,去除所述第一牺牲层;去除所述第一牺牲层之后,在所述待刻蚀层、第二牺牲层和第一侧墙表面沉积第二侧墙层;回刻蚀所述第二侧墙层,直至暴露出第二牺牲层、第一侧墙的顶部表面,并去除待刻蚀层表面的第二侧墙层,在所述第二牺牲层和第一侧墙两侧的待刻蚀层表面形成第二侧墙;以第一侧墙和第二侧墙为掩膜,干法刻蚀所述第二牺牲层,直至暴露出待刻蚀层表面为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造