[发明专利]一种提高硅片抗碎裂性能的方法有效
| 申请号： | 201210426846.2 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969395A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周浪;孟虹辰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种提高硅片抗碎裂性能的方法，属于光伏材料技术领域。其特征是将硅片置于氩气或氮气气氛中，加热到300～900℃，保温0.2～4小时，然后，以低于7℃/min的速率将硅片冷却至室温出炉。本发明操作简单，成本低，可极大地提高硅片抗碎裂性能，特别是提高金刚石切割硅片抗碎裂性能，其弯折断裂应变可提高90％以上。同时明显提高多晶硅片少子寿命。使硅片后续处理及太阳电池制作过程中碎片率降低，最终降低太阳电池生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 碎裂 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高硅片抗碎裂性能的方法，其特征是将硅片置于氩气或氮气气氛中，加热到300～900℃，保温0.2～4小时，然后，以低于7 ℃/min的速率将硅片冷却至室温出炉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
