[发明专利]四方晶结构的铟靶材无效
| 申请号： | 201210428240.2 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103789729A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 许舒惠;林俊荣;张博钦;杜承鑫 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种四方晶结构的铟靶材，其平均晶粒尺寸介于10至500微米之间。本发明的四方晶结构的铟靶材由于其平均晶粒尺寸远小于现有技术的铟靶材的平均晶粒尺寸，故于溅镀过程时，可大幅降低电弧产生的次数，进而大幅减少铟微粒附着于溅镀薄膜的表面，因而增加溅镀薄膜的质量，例如大幅提升其薄膜均匀性等，且本发明的四方晶结构的铟靶材应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池时，由于溅镀薄膜的质量提高，故能使该CIGS薄膜太阳能电池具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 四方 结构 铟靶材 | ||
【主权项】：
一种四方晶结构的铟靶材，其特征在于，其平均晶粒尺寸介于10μm至500μm之间。
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