[发明专利]一种栅极开启电压的测量方法有效
申请号: | 201210428501.0 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103792473A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 王明;连晓谦 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种栅极开启电压的测量方法,该测量方法通过在执行跨导法测量开启电压前,先利用一个比较子程序将小于参考值的漏源电流滤除。籍此,杜绝了因小电流波动引起的跨导返回异常值问题,从而提高了跨导法测量开启电压的准确度。同时本发明的方法还具有应用范围广、调校简单、执行效率高等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 栅极 开启 电压 测量方法 | ||
【主权项】:
一种栅极开启电压的测量方法,其特征在于,该方法包括步骤:1)提供待测MOS晶体管;2)对所述MOS晶体管的栅极施加扫描电压,并测量该MOS晶体管的源漏极电流,绘制漏源电流‑栅极电压曲线;3)将测量得到的源漏电流与一参考值比较,如果该源漏电流大于所述参考值,执行步骤4),如果该源漏电流小于所述参考值,返回步骤2);4)利用跨导法,在所述漏源电流‑栅极电压曲线上测量并得到开启电压。
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