[发明专利]波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置

摘要

本发明实施例公开了一种波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置。该波长转换器件的制作方法包括将第一表面为<100>晶面或者<110>晶面的单晶硅片的第一表面上形成带有无掩膜区的掩膜层，并放置到预定腐蚀液中进行腐蚀，以在该第一表面上形成微结构阵列，然后在微结构阵列的表面上依次形成反射层和波长转换层。本发明能提供一种具有表面光滑的微结构阵列的波长转换器件的制作方法。

主权项

一种波长转换器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：a)在第一表面为<100>晶面或者<110>晶面的单晶硅片的第一表面上形成掩膜层，该掩膜层的第一预定位置形成有无掩膜区阵列，该无掩膜区阵列包括多个无掩膜区；或者在该掩膜层的第一预定位置处形成无掩膜区，其中该无掩膜区填充有掩膜区阵列中的多个有掩膜区；b)将该单晶硅片放置于预定的湿法腐蚀液中进行腐蚀，以使得经腐蚀后的单晶硅片的第一表面上对应无掩膜区阵列或者有掩膜区阵列的位置形成微结构阵列，该微结构阵列包括多个微结构；c)在单晶硅片带有微结构阵列的表面上均镀上反射膜，使得该反射膜的表面的起伏与所述微结构阵列的起伏一致；d)在所述反射膜上覆盖波长转换层，使得该波长转换层的表面的起伏与所述微结构阵列的起伏一致。