[发明专利]一种圆形阵列脑部电阻抗断层成像用电极有效
申请号: | 201210428533.0 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN102894976A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 董秀珍;郭大龙;付峰;尤富生;史学涛;刘锐岗;季振宇;徐灿华;代萌 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军第四军医大学 |
主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710032 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种圆形阵列脑部电阻抗断层成像用电极,由金属底座、探针阵列、探针前端覆层以及设置在金属底座和各个探针外侧的覆层构成。一个电极的金属底座前面固定有9个探针,后面焊接有按扣以方便进行连接。9个探针的前端覆盖有吸水层,可以吸收导电膏或者NaCl溶液。这种探针的结构可以使电极穿过头发进行测量,用于无需剃发的脑部电阻抗断层成像。 | ||
搜索关键词: | 一种 圆形 阵列 脑部 阻抗 断层 成像 用电 | ||
【主权项】:
一种圆形阵列脑部电阻抗断层成像用电极,其特征在于,由覆盖有Ag/Agcl镀层的探针和底座构成,探针在底座上呈圆心和圆周方式布置,其中圆周上的探针均匀分布,所述的探针的前端有松紧环固定的亲水覆层,底座的另一侧连接有按扣。
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