[发明专利]高纯度二氧化硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210428547.2 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN102874821A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 吴以舜;李根长;程志林;朱文彬;张冠军 申请(专利权)人: 天津舜能润滑科技股份有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C01C1/16
代理公司: 天津才智专利商标代理有限公司 12108 代理人: 王顕
地址: 300384 天津市滨海新*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种高纯度二氧化硅的方法,其以硅藻土为原料,与氟化铵水溶液在一定温度下反应,经过沉淀、过滤、离心得到氟硅酸铵溶液;通过蒸发结晶得到高纯度氟硅酸铵固体;高纯度氟硅酸铵固体通过热分解得到高纯四氟化硅;四氟化硅气体与高纯度氨水反应,生成二氧化硅沉淀,通过固液分离、洗涤、真空干燥,制备出高纯度二氧化硅粉体。该方法原料成本较低、操作工艺简单、生产过程中无污染物产生且制备的二氧化硅粉体纯度大于6N。
搜索关键词: 纯度 二氧化硅 制备 方法
【主权项】:
一种高纯度二氧化硅的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)硅藻土和氟化铵水溶液在80~90℃下反应生成氟硅酸铵溶液和氨气,所述氟硅酸铵溶液经过滤和高速离心后除去杂质,实现初步提纯;所述氨气经纯水吸收,制成高纯氨水;2)将初步提纯后的氟硅酸铵溶液经过多次蒸发结晶,通过固液分离进行二次提纯,然后通过洗涤得到高纯度氟硅酸铵固体;3)将所述高纯度氟硅酸铵固体加热到100~150℃,使其分解生成四氟化硅气体和氟化铵气体;4)将所述四氟化硅和氟化铵气体导入到反应设备中,使其与高纯氨水进行氨解反应,生成二氧化硅沉淀;5)将所述二氧化硅沉淀通过高速离心脱水、洗涤和真空干燥,得到纯度大于6N的高纯度二氧化硅粉体。
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