[发明专利]电互连结构的形成方法

摘要

电互连结构的形成方法，包括：半导体衬底表面具有介质层，介质层内具有贯穿其厚度的第一开口；在介质层表面以及第一开口的侧壁和底部表面形成种子层；在种子层表面形成第二光刻胶层，第二光刻胶层的材料为导电光刻胶，且第二光刻胶层内具有贯穿其厚度的第三开口，第三开口的底部暴露出第一开口；在第二光刻胶层表面形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的材料为非导电光刻胶，且第一光刻胶层内具有贯穿其厚度的第二开口，且第二开口与第三开口贯通；采用电镀工艺在第一开口和第三开口底部的种子层表面形成导电结构，导电结构的顶部表面低于或等于第一光刻胶层的顶部表面；在形成导电结构后，去除第二光刻胶层和第一光刻胶层。所述电互连结构性能稳定。

主权项

一种电互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层，所述介质层内具有贯穿其厚度的第一开口；在所述介质层表面以及所述第一开口的侧壁和底部表面形成种子层；在所述种子层表面形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的材料为导电光刻胶，且所述第二光刻胶层内具有贯穿其厚度的第三开口，所述第三开口的底部暴露出所述第一开口；在所述第二光刻胶层表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层的材料为非导电光刻胶，且所述第一光刻胶层内具有贯穿其厚度的第二开口，且所述第二开口与第三开口贯通；采用电镀工艺在所述第一开口和第三开口底部的种子层表面形成导电结构，所述导电结构的顶部表面低于或等于所述第一光刻胶层的顶部表面；在形成导电结构后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。