[发明专利]一种绿光氮化物LED外延片及其生长方法无效
| 申请号： | 201210429419.X | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969417A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李盼盼;李鸿渐;李志聪;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种绿光氮化物LED外延片及其生长方法，属于半导体光电技术领域，特点是在生长多量子阱有源区时于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间生长一层In组分含量较低的InGaN材料层；在最后一个量子阱有源区的cap层上生长量子垒，在量子垒上生长空穴注入层，在空穴注入层上生长p-AlGaN电子阻挡层。本发明工艺合理，方便生产，采用标准芯片工艺制成LED芯片，使得内量子效率得到提高，空穴注入效率大大提高，制作成芯片封装后光通量高，反向抗静电能力达到一万伏以上，在反向电压8伏测量下，无漏电，在15mA正向电流下，工作电压小于3.1V。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种绿光氮化物LED外延片，包括依次设置在衬底上的低温缓冲层、非故意掺杂的GaN层、N型电子注入层、N型InGaN/GaN插入层、多量子阱有源区、p‑AlGaN电子阻挡层、P型空穴注入层和接触层，所述多量子阱有源区包括4至20个量子阱有源区，每个量子阱有源区包括量子垒、量子阱和cap层，其特征在于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间设置一层In组分含量较低的InxGa(1‑x)N材料层，组分x为3%~10%；在最后一个量子阱有源区的cap层上设置量子垒，在所述量子垒与p‑AlGaN电子阻挡层之间设置空穴注入层。
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