[发明专利]生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法无效
| 申请号： | 201210429462.6 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969425A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李鸿渐;李盼盼;李志聪;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，属于半导体光电技术领域，首先在蓝宝石衬底上实现高位错密度的GaN外延膜，生长具有倒“V”型粗化表面氮化物LED的方法正在利用密度来实现。这些位错会在MQWs表面释放形成“V”形坑，生长pGaN时采用的是低温高压生长，低温高压下Ga元素的扩展自由程短，主要以三维生长为主，在生长过程中不容易把“V”形坑填平。因此在生长过程中相当于这些“V”形坑进行释放，进而形成表面为倒“V”形貌的pGaN粗化表面，以获得具有倒“V”形貌粗化表面氮化物LED，亮度会有100%的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 具有 形粗化 表面 氮化物 led 外延 方法 | ||
【主权项】：
生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在蓝宝石衬底上，采用金属有机物化学气相沉积法生长一层Al(x)Ga(1‑x)N高温缓冲层；其中，x为0~100；2）升温，使Al(x)Ga(1‑x)N缓冲层再结晶成核，选择在压力为500～800 mbar和N :Ga摩尔比为800~1200︰1条件下进行GaN外延膜生长，以获得位错密度为1×108 ～1×109cm‑2的u‑GaN外延膜；3）在u‑GaN外延膜上依次外延生长LED所需的n‑GaN和多量子阱MQWs；4）在低温高压条件下，于多量子阱MQWs上生长pGaN，以获得具有倒V形的粗化表面。
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