[发明专利]一种应用于自举基准的启动电路无效

专利信息
申请号: 201210431164.0 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN103001613A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 蒋仁杰 申请(专利权)人: 长沙景嘉微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410205 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种应用于自举基准的启动电路。本电路针对模拟电路中应用最普遍的偏置电路,即自举基准电路存在的“简并”偏置点问题,即上电时所有晶体管传输的电流均为零的问题,提出了一种简单可靠的启动电路,该电路可以将偏置电路从上电时的“零电流”模式引导至正常工作模式,且该启动电路结构简单,消耗的电流极低,即实现了一种低功耗启动电路。
搜索关键词: 一种 应用于 基准 启动 电路
【主权项】:
一种应用于自举基准的启动电路,其特征在于:电路由启动电路和自举基准组成;启动电路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、反相器INV以及电阻R1组成,其中电阻R1的一端接PMOS管M1、M2和M3的栅极,另一端接地,PMOS管M1源极接电源VDD,漏极接PMOS管M2的源极,PMOS管M2漏极接PMOS管M3源极,PMOS管M3漏极接反相器INV输入和NMOS管M5的漏极,M5的源极接地,反相器的输出接到PMOS管M4栅极,M4的源极接电源;自举基准由PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9和电阻R2组成,其中PMOS管M6、M7的源极接电源VDD,PMOS管M7的栅极、漏极和M6的栅极以及NMOS管M8的漏极连接在一起,PMOS管M6的漏极连接到NMOS管M8的栅极、PMOS管M4的漏极以及NMOS管M9的漏极,M9的栅极连接到M8的源极、NMOS管M5的栅极和电阻R2的一端,电阻R2另一端接地。
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