[发明专利]一种用于硅纳米线生物检测芯片的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210431190.3 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103018429B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 朱建军;赵宇楠;叶红波;戚继鸣 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种硅纳米线生物检测芯片的结构及制造方法，该结构包括半导体衬底、生长在半导体衬底上的二氧化硅隔离层、生长在二氧化硅隔离层上的多晶硅层和生长在多晶硅层上的结构层；其中，多晶硅层中包括图形化形成的硅纳米线阵列；结构层的结构为从下至上依次包括SiON层、TaN层和/或Ta2O5层，且TaN层和/或Ta2O5层仅覆盖于硅纳米线阵列中各硅纳米线的表面。因此，本发明不仅解决了硅纳米线阵列（SiNW）在保存应用中存在的容易受污染的问题，且能使生物芯片经受Na、K、Fe、Cu和Ca等离子的扩散污染的考验，以及PH值等多种化学因素的影响，即实现了检测的高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 纳米 生物 检测 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线生物检测芯片的结构，包括：半导体衬底；二氧化硅隔离层，生长在所述半导体衬底上；多晶硅层，生长在所述二氧化硅隔离层上，所述多晶硅层中包括图形化形成的硅纳米线阵列；其特征在于，还包括：结构层，生长在所述多晶硅层上；所述结构层结构从下至上依次包括SiON/TaN/Ta2O5层，采用SiON层表面钝化使所述硅纳米线生物检测芯片在保存使用中不容易受污染和保持其使用中性能的稳定性，采用TaN/Ta2O5层解决Na和K离子对硅纳米线的扩散污染；其中，所述TaN/Ta2O5层仅覆盖于所述硅纳米线阵列中各硅纳米线的表面。
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