[发明专利]磁阻元件结构形成方法有效
| 申请号： | 201210431518.1 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094470A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘富台;李乾铭;梁志坚;傅乃中 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磁阻元件结构形成方法，包含：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。本发明所述之磁阻元件结构形成方法，不但可将集成电路与磁阻材料整合在一起，达到体积极小化，且可将对准之标记与制程巧妙结合，节省光罩的层数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。
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