[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210431974.6 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN103094277B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 野口江 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置。在不增大镇流电阻的宽度的情况下增大镇流电阻的容许电流量。包括在镇流电阻内的至少一个电阻具有第一电阻和第二电阻。第一电阻在电流在保护元件中流动的第一方向(图1中的X方向)上延伸。第二电阻元件与第一电阻元件并联地耦接并且在第一方向上延伸。第二电阻元件和第一电阻元件位于同一条直线上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:保护元件;以及与保护元件耦接的镇流电阻,其中包括在镇流电阻内的多个电阻中的至少一个电阻包括在电流在保护元件中流动的第一方向上延伸的第一电阻元件;以及第二电阻元件,在第一方向上延伸,其中布线将第一电阻元件和第二电阻元件中的每一个的位于同一侧的一个端部与第一端子耦接,其中布线将第一电阻元件和第二电阻元件中的每一个的位于所述一个端部的相反侧的另一端部与所述保护元件耦接,以及其中第一电阻元件和第二电阻元件位于同一条直线上。
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