[发明专利]一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法有效
| 申请号： | 201210432069.2 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103022114A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘江;赵哿;高明超;金锐 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT芯片及其设计方法，具体涉及一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法。截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。本发明电网应用大功率IGBT截止环设计方法，将传统快恢复二极管的终端截止环设计应用于高压大功率IGBT芯片设计，工艺简单，适用不同终端结构IGBT芯片的设计，可行性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 截止 高压 大功率 igbt 芯片 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片，所述IGBT芯片包括终端区，所述终端区包括终端基本单元和截止环；其特征在于，所述截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。
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