[发明专利]一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺有效
| 申请号： | 201210432144.5 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102965733A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王波;彭同华;刘春俊;赵宁;娄艳芳;王文军;王刚;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00;C30B28/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可提供氢原子的气体和氮气与惰性载气(氩气或者氦气)一起引入生长室内，在制备碳化硅晶体的温度下分解出氢原子，改变可以提供氢原子的气体流量以调节氢原子在生长室内的浓度，生长出无石墨包裹物的导电碳化硅晶体，提高晶体质量和产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 包裹 导电 碳化硅 晶体生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可提供氢原子的气体和氮气与惰性载气一起引入生长室内，在制备碳化硅晶体的温度下分解出氢原子，改变可以提供氢原子的气体流量以调节氢原子在生长室内的浓度，生长出无石墨包裹物的导电碳化硅晶体。
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