[发明专利]硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法。该硅衬底上氮化物高压器件通过在漏极区域引入高电压耐受层，局部增加外延层的厚度来承担较高的压降，从而实现可以耐高击穿电压的器件。通过这种局部生长方法，不仅可以实现耐高击穿电压的器件，也可以避免整体材料过厚带来的氮化物外延层翘曲龟裂问题，保证材料生长质量，并且提高材料生长效率，降低成本。

主权项

一种硅衬底上氮化物高压器件，其特征在于包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的氮化物多层外延结构；所述外延多层结构从衬底方向依次包括氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层，以及在所述势垒层上有选择地在部分区域形成的高电压耐受层；所述氮化物沟道层和势垒层组成了半导体异质结，并在结面处形成二维电子气；与上述高电压耐受层相接触的漏极；在上述势垒层上形成的与上述半导体异质结中的二维电子气形成接触的源极；在上述势垒层上形成的，位于该漏极和源极间的栅极。