[发明专利]一种磁阻存储器的环状存储单元的制作方法有效
| 申请号： | 201210432398.7 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102938445A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 罗飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种磁阻存储器的环状存储单元的制作方法，包括沉积第一磁通道结层、阻挡层和刻蚀层；并通过光刻形成圆形的岛状光阻图形；蚀刻缩减岛状光阻图形；刻蚀形成岛状的刻蚀层；沉积并回蚀刻形成环状的第二磁通道结层；刻蚀形成环状的第一磁通道结层、阻挡层和第二磁通道结层。本发明不需采用高分辨率曝光设备，利用普通分辨率的光刻机得到超小特征尺寸和超高图形密度的光阻图形。减少了生产费用，降低了生产成本，提高了产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 存储器 环状 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻存储器的环状存储单元的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：依次沉积第一磁通道结层、阻挡层和刻蚀层；并通过光刻形成圆形的岛状光阻图形，所述岛状光阻图形的直径为80~120nm；步骤2：利用等离子体干法蚀刻对所述岛状光阻图形的特征尺寸进行缩减，刻蚀后的岛状光阻图形的直径为30~50nm；步骤3：刻蚀所述岛状光阻图形下的刻蚀层，形成岛状的刻蚀层；随后去除所述岛状光阻图形；步骤4：沉积第二磁通道结层，并回蚀刻形成岛状的刻蚀层和第二磁通道结层；步骤5：蚀刻去除刻蚀层，形成环状的第二磁通道结层；步骤6：利用环状的第二磁通道结层刻蚀阻挡层和第一磁通道结层，形成环状的第一磁通道结层、阻挡层和第二磁通道结层。
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