[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201210434514.9 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102956551A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张明;郝昭慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，包括：通过一次构图工艺形成栅极、栅线、公共电极线和用于保护栅线、公共电极线的第一保护层的图形；和/或通过一次构图工艺形成所源极、漏极、数据线和用于保护数据线的第二保护层的图形。由于栅极、栅线、公共电极线和第一保护层的图形通过一次构图工艺形成，因此避免了在对用于制作栅线及公共电极线的金属膜层进行湿刻时，刻蚀液渗入PR胶与用于形成所述金属膜层间的缝隙而导致栅线被刻蚀液刻蚀而出现断裂的情况，同样，源极、漏极、数据线和用于保护所述数据线的第二保护层的图形通过一次构图工艺形成，也避免了数据线被刻蚀液刻蚀而出现断裂的情况，提高了阵列基板的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，所述方法包括在基板上形成栅极、栅线、公共电极线、栅极绝缘层的图形；以及形成有源层，源极、漏极、数据线的图形；其特征在于，还包括：在基板上形成用于保护所述栅线及公共电极线的第一保护层的图形；和/或在基板上形成用于保护所述数据线的第二保护层的图形；其中，所述栅极、栅线、公共电极线和第一保护层的图形通过一次构图工艺形成；所述源极、漏极、数据线和第二保护层的图形通过一次构图工艺形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
