[发明专利]纵型沟槽IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201210434810.9 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103311121A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及纵型沟槽IGBT及其制造方法，提高纵型沟槽IGBT的RBSOA耐受性。在n－型Si基板（1）上形成p型体层（3）。形成贯通p型体层（3）的沟槽，在沟槽内隔着栅极绝缘膜（5）形成沟槽栅极（4）。在p型体层（3）上形成包含n型杂质的多晶硅膜（16）。使n型杂质从多晶硅膜（16）向p型体层（3）扩散，在p型体层（3）上形成n型发射极层（6）。在n－型Si基板（1）的下表面形成p型集电极层（13）。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210434810.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于半导体制造工具的阀净化组件
- 下一篇：电极
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
