[发明专利]负偏压温度不稳定性检测电路及其检测方法有效
| 申请号： | 201210435238.8 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103792475A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种负偏压温度不稳定性检测电路，该电路包括：环形回荡器电路，每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连，每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管，所述待测PMOS管的源极接第一电压端、栅极接所述第一节点、漏极接所述第二节点，所述NMOS管的源极接低电平、栅极接第一节点、漏极接所述第二节点，所述每一测试电路的第二节点接第二电压端，所述每一测试电路的第一节点接第三电压端。本发明还揭示了一种检测方法，包括通过控制所述第二电压端和所述第三电压端使得所述待测PMOS管处于压力状态和测试状态。本发明的负偏压温度不稳定性检测电路，能准确测试PMOS管的负偏压温度不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏压 温度 不稳定性 检测 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种负偏压温度不稳定性检测电路，包括：环形回荡器电路，所述环形振荡器电路包括n级测试电路，每级测试电路的结构相同，每一测试电路包括第一节点和第二节点，每一测试电路的第一节点通过一分压元件与其前一测试电路的第二节点相连，n为正整数；其中每一测试电路包括互补的待测PMOS管和NMOS管，且所述待测PMOS管的源极接一第一电压端、栅极接所述测试电路的第一节点、漏极接所述测试电路的第二节点，所述NMOS管的源极接低电平、栅极接所述测试电路的第一节点、漏极接所述测试电路的第二节点，所述每一测试电路的第二节点接一第二电压端，所述每一测试电路的第一节点接一第三电压端。
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