[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201210435765.9 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN103107078A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 相川力 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光器件晶片的加工方法,即使在蓝宝石基板的背面层叠有反射膜也能够在蓝宝石基板的内部沿间隔道形成改性层,并且能够将反射膜沿间隔道切断。所述光器件晶片的加工方法包含:改性层形成工序,从蓝宝石基板的背面侧将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的激光光线以聚光点定位于蓝宝石基板的内部的方式沿间隔道照射,在蓝宝石基板沿间隔道形成改性层;反射膜形成工序,在蓝宝石基板的背面形成反射膜;反射膜切断工序,从反射膜侧沿间隔道照射相对于反射膜具有吸收性的波长的激光光线,将反射膜沿间隔道切断;以及晶片分割工序,对光器件晶片施加外力以使光器件晶片沿形成有改性层的间隔道断裂,从而分割成一个个光器件。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,所述光器件晶片的加工方法用于将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件,所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面层叠有光器件层并在由呈格子状地形成的多个间隔道划分出的多个区域形成有光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,所述光器件晶片的加工方法包含下述工序:改性层形成工序,在该改性层形成工序中,从蓝宝石基板的背面侧将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的激光光线以聚光点定位于蓝宝石基板的内部的方式沿间隔道照射,从而在蓝宝石基板沿间隔道形成改性层;反射膜形成工序,在该反射膜形成工序中,在已实施了所述改性层形成工序的蓝宝石基板的背面形成反射膜;反射膜切断工序,在该反射膜切断工序中,从在蓝宝石基板的背面形成的反射膜侧沿间隔道照射相对于反射膜具有吸收性的波长的激光光线,从而将反射膜沿间隔道切断;以及晶片分割工序,在该晶片分割工序中,对已实施了所述反射膜切断工序的光器件晶片施加外力以使光器件晶片沿形成有改性层的间隔道断裂,从而分割成一个个光器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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