[发明专利]光器件晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201210435765.9 申请日: 2012-11-05
公开(公告)号: CN103107078A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 相川力 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B23K26/36
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种光器件晶片的加工方法,即使在蓝宝石基板的背面层叠有反射膜也能够在蓝宝石基板的内部沿间隔道形成改性层,并且能够将反射膜沿间隔道切断。所述光器件晶片的加工方法包含:改性层形成工序,从蓝宝石基板的背面侧将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的激光光线以聚光点定位于蓝宝石基板的内部的方式沿间隔道照射,在蓝宝石基板沿间隔道形成改性层;反射膜形成工序,在蓝宝石基板的背面形成反射膜;反射膜切断工序,从反射膜侧沿间隔道照射相对于反射膜具有吸收性的波长的激光光线,将反射膜沿间隔道切断;以及晶片分割工序,对光器件晶片施加外力以使光器件晶片沿形成有改性层的间隔道断裂,从而分割成一个个光器件。
搜索关键词: 器件 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,所述光器件晶片的加工方法用于将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件,所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面层叠有光器件层并在由呈格子状地形成的多个间隔道划分出的多个区域形成有光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,所述光器件晶片的加工方法包含下述工序:改性层形成工序,在该改性层形成工序中,从蓝宝石基板的背面侧将相对于蓝宝石基板具有透过性的波长的激光光线以聚光点定位于蓝宝石基板的内部的方式沿间隔道照射,从而在蓝宝石基板沿间隔道形成改性层;反射膜形成工序,在该反射膜形成工序中,在已实施了所述改性层形成工序的蓝宝石基板的背面形成反射膜;反射膜切断工序,在该反射膜切断工序中,从在蓝宝石基板的背面形成的反射膜侧沿间隔道照射相对于反射膜具有吸收性的波长的激光光线,从而将反射膜沿间隔道切断;以及晶片分割工序,在该晶片分割工序中,对已实施了所述反射膜切断工序的光器件晶片施加外力以使光器件晶片沿形成有改性层的间隔道断裂,从而分割成一个个光器件。
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