[发明专利]c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210436117.5 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102965633A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 许志勇;兰中文;孙科;余忠;蒋晓娜;郭荣迪;李乐中 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，属于电子材料技术。本发明包括以下步骤：步骤A：超声波清洗基片表面的杂质；步骤B：溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe12O19缓冲层；步骤C：将基片温度继续加热到500℃，以5nm/min的溅射速率在30nm厚的非晶BaFe12O19缓冲层上继续溅射一层500-1000nm的非晶BaFe12O19薄膜；步骤D：退火晶化处理。经过本发明工艺制备出的M型钡铁氧体（BaM）薄膜，易磁化轴c轴垂直膜面取向，同时具有较高的饱和磁化强度、较好的结构和性能上的各向异性，可应用于微波/毫米波磁性器件、垂直磁记录介质材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 取向 铁氧体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：超声波清洗，清除基片表面的杂质；步骤B：首先将溅射腔内背底气压抽到低于4.0×10‑4Pa，然后通入溅射工作气体：纯度为99.999％的高纯氩气和纯度为99.999％的高纯氧气，调节氧气气压和氩气气压比为1：99，总的溅射工作气压保持在1.4Pa；将基片温度加热到300℃，调节溅射功率为140W，以4~8nm/min的溅射速率溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe12O19缓冲层；步骤C：将基片温度继续加热到500℃，以5nm/min的溅射速率在30nm厚的非晶BaFe12O19缓冲层上继续溅射一层500‑1000nm的非晶BaFe12O19薄膜；步骤D：退火晶化处理：先以5℃/min的升温速率从室温升到300℃，然后以2℃/min的速率从300℃升到800℃，再在800℃于空气气氛中保温3小时，最后随炉自然冷却至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210436117.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空调安装支架
- 下一篇：一种用于革基布生产线的挡风帘
- 同类专利
- 专利分类
